STP4NK50ZD

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STP4NK50ZD概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB


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N沟道 500V 3A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装


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Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Win Source:
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220


STP4NK50ZD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 2.70 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

输入电容 310 pF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 15.5 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP4NK50ZD
型号: STP4NK50ZD
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP4NK50ZD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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