STS1NK60Z

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STS1NK60Z概述

N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

N-Channel 600V 250mA Tc 2W Tc Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO


立创商城:
STS1NK60Z


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 600 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R


力源芯城:
600V,0.25A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC


STS1NK60Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 250 mA

针脚数 8

漏源极电阻 13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 94pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STS1NK60Z引脚图与封装图
STS1NK60Z引脚图
STS1NK60Z封装图
STS1NK60Z封装焊盘图
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型号: STS1NK60Z
描述:N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

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