N沟道600V - 13W - 0.25A - SO- 8齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
N-Channel 600V 250mA Tc 2W Tc Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
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STS1NK60Z
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晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 600 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-Pin SO N T/R
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力源芯城:
600V,0.25A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
额定电压DC 600 V
额定电流 250 mA
针脚数 8
漏源极电阻 13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 250 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 94pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free