STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V
The is a STripFET™ II P-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
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- 0.18R RDS ON
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- Exceptional dV/dt capability
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- 100% Avalanche tested
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- Low gate charge
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- Application oriented characterization
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- Surface-mount power package
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -10.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 850pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, Motor Drive & Control, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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