STB150NF04参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB150NF04概述

N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET

N-Channel 40V 80A Tc 300W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

立创商城:
N沟道 40V 80A

贸泽:
MOSFET N-Ch, 40V-0.005ohms 80A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

STB150NF04中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7 mΩ

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 3650pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB150NF04

型号： STB150NF04

描述：N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET

替代型号STB150NF04

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STB150NF04 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
FDB8441_F085 飞兆/仙童	功能相似	STB150NF04和FDB8441_F085的区别
SPB80N04S2-04 英飞凌	功能相似	STB150NF04和SPB80N04S2-04的区别
SPB80N04S2-H4 英飞凌	功能相似	STB150NF04和SPB80N04S2-H4的区别