STP18NM80

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STP18NM80概述

STMICROELECTRONICS  STP18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 800V 17A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP18NM80 系列 N 沟道 800 V 295 mΩ MDmesh™ 功率 Mosfet - TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP18NM80  MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220


STP18NM80中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 2070pF @50VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STP18NM80
型号: STP18NM80
描述:STMICROELECTRONICS  STP18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
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