STMICROELECTRONICS STP18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP18NM80, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 800V 17A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP18NM80 系列 N 沟道 800 V 295 mΩ MDmesh™ 功率 Mosfet - TO-220
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.71A; 190W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP18NM80 MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 2070pF @50VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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