N沟道 100V 180A
N-Channel 100V 180A Tc 300W Tc Surface Mount H2Pak-2
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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N沟道 100V 180A
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
Win Source:
Ultra low on-resistance | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
极性 N-CH
耗散功率 300 W
输入电容 11550 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 139 ns
输入电容Ciss 11550pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 112 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STH240N10F7-2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STH240N10F7-6 意法半导体 | 功能相似 | STH240N10F7-2和STH240N10F7-6的区别 |