STMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW23NM50N, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
STW23NM50N 系列 N 沟道 550 V 0.19 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-247-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW23NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 500V 17A 190mOhm TO247-3 **
力源芯城:
500V,0.162Ω,17A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 0.162 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1330pF @50VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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