STP25NM60ND

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STP25NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB


欧时:
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP25NM60ND系列 N沟道 600 V 0.16 Ohm FDmesh™ II 功率MOSFET - TO-220-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 160W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


儒卓力:
**N-CH 600V 21A 160mOhm TO220-3 **


力源芯城:
600V,21A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220


STP25NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2400pF @50VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

STP25NM60ND引脚图与封装图
STP25NM60ND引脚图
在线购买STP25NM60ND
型号: STP25NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP25NM60ND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP25NM60ND

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当前型号

当前型号

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