STP20NF20

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STP20NF20概述

STMICROELECTRONICS  STP20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB


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N沟道 200V 18A


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MOSFET Low charge STripFET


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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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STP20NF20 系列 N 沟道 200 V 0.125 Ohm STripFET™ 功率 Mosfet - TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; TO220-3


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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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# STMICROELECTRONICS  STP20NF20  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V


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**N-CH 200V 18A 125mOhm TO220 **


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200V,18A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220


STP20NF20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

输入电容 940 pF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 940pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP20NF20
型号: STP20NF20
描述:STMICROELECTRONICS  STP20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
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