STMICROELECTRONICS STW11NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK90Z, 9.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
STW11NK90Z 系列 900 V 980 mOhm N 沟道 SuperMESH™ 功率 Mosfet - TO-247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 0.82 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 9.2A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management, Industrial, Power Management
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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