STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
立创商城:
N沟道 75V 120A
欧时:
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
STP160N75F3 系列 N 沟道 75 V 4 mOhm STripFET 功率 MOSFET - TO-220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
儒卓力:
**N-CH 75V 120A 5mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 6750pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP160N75F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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