STMICROELECTRONICS STB80NF55-08T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF55-08T4, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB80NF55 系列 N 沟道 55 V 0.008 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 55V 80A 8mOhm TO263-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 3850pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Power Management, Industrial, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB80NF55-08T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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