STB80NF55-08T4

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STB80NF55-08T4概述

STMICROELECTRONICS  STB80NF55-08T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF55-08T4, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB80NF55 系列 N 沟道 55 V 0.008 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 55V 80A 8mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


STB80NF55-08T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 3850pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Power Management, Industrial, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STB80NF55-08T4引脚图与封装图
STB80NF55-08T4引脚图
STB80NF55-08T4封装图
STB80NF55-08T4封装焊盘图
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型号: STB80NF55-08T4
描述:STMICROELECTRONICS  STB80NF55-08T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V
替代型号STB80NF55-08T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STB80NF55-08T4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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