STB28N60M2

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STB28N60M2概述

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin D2PAK T/R

N-Channel 600V 22A Tc 170W Tc Surface Mount D2PAK


立创商城:
STB28N60M2


得捷:
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STB28N60M2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 170000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh ii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 22 A 0.15 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 600V 22A 150mOhm TO220-3 **


STB28N60M2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 170 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 7.2 ns

输入电容Ciss 1440pF @100VVds

额定功率Max 170 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB28N60M2
型号: STB28N60M2
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin D2PAK T/R

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