















STB21N 系列 N 沟道 710 V 17 A 179 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB21N65M5 Power MOSFET, N Channel, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 650V 17A 159mOhm TO263-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1950pF @100VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99