STB21N65M5

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STB21N65M5概述

STB21N 系列 N 沟道 710 V 17 A 179 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB21N65M5  Power MOSFET, N Channel, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 650V 17A 159mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK


STB21N65M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1950pF @100VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB21N65M5
型号: STB21N65M5
描述:STB21N 系列 N 沟道 710 V 17 A 179 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK

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