STF43N60DM2

STF43N60DM2图片1
STF43N60DM2图片2
STF43N60DM2图片3
STF43N60DM2图片4
STF43N60DM2图片5
STF43N60DM2图片6
STF43N60DM2图片7
STF43N60DM2图片8
STF43N60DM2图片9
STF43N60DM2图片10
STF43N60DM2图片11
STF43N60DM2图片12
STF43N60DM2图片13
STF43N60DM2概述

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101


立创商城:
N沟道 600V 30A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP


欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF43N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-220FP


STF43N60DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 2500pF @100VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STF43N60DM2
型号: STF43N60DM2
描述:N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司