N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
欧时:
### N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STH175N4F6-2AG power MOSFET. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This device is made with stripfet f6 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 7735pF @20VVds
下降时间 57 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.17 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅