650V,20.7A,N沟道功率MOSFET
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Worldwide best RDSon in TO 220
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Improved transconductance
立创商城:
SPP20N65C3
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
力源芯城:
650V,20.7A,N沟道功率MOSFET
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
通道数 1
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
输入电容 2.40 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPP20N65C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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