STP3NK90Z

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STP3NK90Z概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK90Z, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 900V 3A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP3NK90Z 系列 N 沟道 900 V 4.8 Ohm SuperMESH 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP3NK90Z  MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 900 V, 4.1 ohm, 10 V, 3.75 V


力源芯城:
900V,4.1Ω,3A,,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220


STP3NK90Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 3.00 A

额定功率 90 W

针脚数 3

漏源极电阻 4.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 590pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP3NK90Z引脚图与封装图
STP3NK90Z引脚图
STP3NK90Z封装图
STP3NK90Z封装焊盘图
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型号: STP3NK90Z
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP3NK90Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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