




STMICROELECTRONICS STH410N4F7-6AG MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V 新
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
欧时:
### N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 A, 40 V, 800 µohm, 10 V, 4.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STH410N4F7-6AG MOSFET, N-CH, 40V, 200A, H2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 / N-Channel 40 V 200A Tc 365W Tc Surface Mount H2PAK-6
针脚数 7
极性 N-Channel
耗散功率 365 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 198 ns
输入电容Ciss 11500pF @25VVds
下降时间 44.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 365W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 8.9 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


