N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N CH 80V 180A TO220
欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP270N8F7, 180 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 V, 180 A, 0.0021 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin TO-220 Tube
富昌:
N-沟道 80 V 180 A 2.1 mΩ 法兰安装 功率 MOSFET - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP270N8F7 MOSFET, N-CH, 80V, 180A, TO-220-3 New
儒卓力:
**N-CH 80V 180A 2,5mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N CH 80V 180A TO220
针脚数 3
漏源极电阻 0.0021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 315 W
阈值电压 4 V
输入电容 13600 pF
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 13600pF @50VVds
额定功率Max 315 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99