STP270N8F7

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STP270N8F7概述

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N CH 80V 180A TO220


欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP270N8F7, 180 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 V, 180 A, 0.0021 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
N-沟道 80 V 180 A 2.1 mΩ 法兰安装 功率 MOSFET - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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# STMICROELECTRONICS  STP270N8F7  MOSFET, N-CH, 80V, 180A, TO-220-3 New


儒卓力:
**N-CH 80V 180A 2,5mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N CH 80V 180A TO220


STP270N8F7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 315 W

阈值电压 4 V

输入电容 13600 pF

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 13600pF @50VVds

额定功率Max 315 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 315W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP270N8F7
型号: STP270N8F7
描述:N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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