STS10DN3LH5

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STS10DN3LH5概述

STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 10A 2.5W 表面贴装型 8-SOIC


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MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC


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双N沟道 30V 10A


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双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 10 A, 0.019 ohm, SOIC, 表面安装


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STS10DN3LH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 475pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STS10DN3LH5引脚图与封装图
STS10DN3LH5引脚图
STS10DN3LH5封装图
STS10DN3LH5封装焊盘图
在线购买STS10DN3LH5
型号: STS10DN3LH5
描述:STS10DN 系列 双 N-沟道 30 V 0.019 Ohm 10 A 功率 MosFet - SOIC-8
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型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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