SI7962DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7962DP-T1-E3概述

MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET DUAL N-CH 40V D-S HIGH THRESHOLD

SI7962DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 11.1 A

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7962DP-T1-E3

型号： SI7962DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC