封装 DIE
IC max 100.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 50.0 ns
VCEsat max 2.6 V
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 WAFER SAWN
tf 80.0 ns
VGEth min max 4.5 V 6.5 V
Technology IGBT2 Low Loss
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
