SQD30N05-20L-GE3

SQD30N05-20L-GE3图片1
SQD30N05-20L-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.016 Ω

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SQD30N05-20L-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQD30N05-20L -GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
替代型号SQD30N05-20L-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SQD30N05-20L-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

STD60NF55LT4

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