SI6966EDQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6966EDQ-T1-GE3概述

MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 1.25W Surface Mount 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6926ADQ-T1-GE3

SI6966EDQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.20 A

额定功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6966EDQ-T1-GE3

型号： SI6966EDQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V