STGWT40HP65FB

STGWT40HP65FB图片1
STGWT40HP65FB图片2
STGWT40HP65FB图片3
STGWT40HP65FB概述

IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-3P


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB


贸泽:
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


STGWT40HP65FB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 283 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 283 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 283000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWT40HP65FB
型号: STGWT40HP65FB
描述:IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司