SI3454ADV

SI3454ADV中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.14 W

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

封装参数

封装 SOT-163

外形尺寸

封装 SOT-163

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI3454ADV
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:SI3454ADV N沟道MOSFET 30V 3.4A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 A4E 低导通电阻/DMOS结构式

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