SI6404DQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI6404DQ-T1-GE3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8Pin TSSOP T/R

表面贴装型 N 通道 30 V 8.6A（Ta） 1.08W（Ta） 8-TSSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3410DV-GE3

SI6404DQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.08W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.08W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6404DQ-T1-GE3

型号： SI6404DQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8Pin TSSOP T/R