SIE844DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE844DF-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

N-Channel 30V 44.5A Tc 5.2W Ta, 25W Tc Surface Mount 10-PolarPAK® U

得捷:
MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

SIE844DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2150pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE844DF-T1-GE3

型号： SIE844DF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

替代型号SIE844DF-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIE844DF-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIE844DF-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SIE844DF-T1-GE3和SIE844DF-T1-E3的区别

型号/品牌

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SIE844DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

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SIE844DF-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代