SUD25N04-25-E3

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SUD25N04-25-E3概述

MOSFET N-CH 40V 25A TO252

表面贴装型 N 通道 25A(Tc) 3W(Ta),33W(Tc) TO-252,(D-Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 40V 25A TO252


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3


SUD25N04-25-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 25.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3W Ta, 33W Tc

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

输入电容Ciss 510pF @25VVds

耗散功率Max 3W Ta, 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD25N04-25-E3
型号: SUD25N04-25-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 40V 25A TO252
替代型号SUD25N04-25-E3
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