SIR874DP-T1-GE3

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SIR874DP-T1-GE3概述

Mosfet n-Ch 25V 20A Ppak So-8

表面贴装型 N 通道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK® SO-8


得捷:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8


SIR874DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.9W Ta, 29.8W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 985pF @15VVds

耗散功率Max 3.9W Ta, 29.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR874DP-T1-GE3
型号: SIR874DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Mosfet n-Ch 25V 20A Ppak So-8

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