SQD50P08-25L_GE3概述
MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
表面贴装型 P 通道 80 V 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
得捷:
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
SQD50P08-25L_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.02 Ω
耗散功率 136 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 5350pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买SQD50P08-25L_GE3