STD4N90K5概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 1.9 ohm, 10 V, 4 V
表面贴装型 N 通道 900 V 3A（Tc） 60W（Tc） DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
立创商城:
STD4N90K5
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 1.9 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
STD4N90K5中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.9 Ω
耗散功率 60 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 11.8 ns
输入电容Ciss 173pF @100VVds
下降时间 25.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买STD4N90K5
型号： STD4N90K5
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 1.9 ohm, 10 V, 4 V