SQD40P10-40L_GE3

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SQD40P10-40L_GE3概述

SQD40P10-40L_GE3 编带

SQD40P10-40L Series P-Channel 100 V 0.04 Ohms 136 W SMT Power Mosfet - SOT-23-3


立创商城:
P沟道 100V 38A


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this SQD40P10-40L_GE3 power MOSFET from Vishay.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin TO-252


SQD40P10-40L_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 48 mΩ

极性 P-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 38A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 4433pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQD40P10-40L_GE3
型号: SQD40P10-40L_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:SQD40P10-40L_GE3 编带

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