单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
表面贴装型 P 通道 15 V 2.3A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC
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TPS1101DR
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Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET
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MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
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MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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# TEXAS INSTRUMENTS TPS1101DR MOSFET Transistor, P Channel, -2.3 A, -15 V, 90 mohm, -10 V, -1.25 V
Win Source:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
通道数 1
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 791 mW
漏源极电压Vds 15 V
漏源击穿电压 15 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 5.5 ns
额定功率Max 791 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 791mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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