TK39N60W,S1VFS

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TK39N60W,S1VFS概述

MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET N 通道,TK3x 系列,

### MOSFET ,Toshiba


立创商城:
TK39N60W,S1VFS


欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK39N60W,S1VFS, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 38.8A 3-Pin3+Tab TO-247


儒卓力:
**N-CH 600V 38,8A 65mOhm TO247-3 **


TK39N60W,S1VFS中文资料参数规格
技术参数

额定功率 270 W

耗散功率 270 W

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 4100pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 270 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.94 mm

宽度 5.02 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TK39N60W,S1VFS
型号: TK39N60W,S1VFS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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