TK7P60W5,RVQ概述
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin DPAK
N-Channel 600V 7A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
TK7P60W5,RVQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 540 mΩ
耗散功率 60 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 490pF @300VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
TK7P60W5,RVQ引脚图与封装图 
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