TP2540N8-G

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TP2540N8-G概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -125 mA, -400 V, 19 ohm, -10 V, -2.4 V

P-Channel 400V 125mA Tj 1.6W Ta Surface Mount TO-243AA SOT-89


得捷:
MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA


欧时:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -400


立创商城:
TP2540N8-G


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -125 mA, -400 V, 19 ohm, -10 V, -2.4 V


艾睿:
This TP2540N8-G power MOSFET from Microchip Technology can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes dmos technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -400V, 25 Ohm3 SOT-89 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 400V 0.125A 4-Pin3+Tab SOT-89


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.4A; 1.6W; SOT89-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TP2540N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

针脚数 3

漏源极电阻 19 Ω

极性 P-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 400 V

连续漏极电流Ids 0.125A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 125pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TP2540N8-G引脚图与封装图
TP2540N8-G引脚图
TP2540N8-G封装图
TP2540N8-G封装焊盘图
在线购买TP2540N8-G
型号: TP2540N8-G
制造商: Microchip 微芯
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -125 mA, -400 V, 19 ohm, -10 V, -2.4 V
替代型号TP2540N8-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TP2540N8-G

Microchip 微芯

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TP25

微芯

功能相似

TP2540N8-G和TP25的区别

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