UPA2820T1S-E2-AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

UPA2820T1S-E2-AT概述

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8Pin HWSON T/R

N-Channel 30V 22A Tc 1.5W Ta, 16W Tc Surface Mount

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin HWSON T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin HWSON T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON

UPA2820T1S-E2-AT中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta, 16W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 2330pF @10VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta, 16W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买UPA2820T1S-E2-AT

型号： UPA2820T1S-E2-AT

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8Pin HWSON T/R