UDZTE-175.6B参数规格_中文资料_数据手册PDF

UDZTE-175.6B概述

稳压二极管 5.6V 200MW

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 UMD2

得捷:
DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2

贸泽:
稳压二极管 5.6V 200MW

Chip1Stop:
Diode Zener Single 5.61V 2% 200mW 2-Pin UMD T/R

Win Source:
DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2

UDZTE-175.6B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

耗散功率 200 mW

测试电流 5 mA

稳压值 5.6 V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.7 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

UDZTE-175.6B引脚图与封装图

在线购买UDZTE-175.6B

型号： UDZTE-175.6B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：稳压二极管 5.6V 200MW

替代型号UDZTE-175.6B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UDZTE-175.6B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
UDZTE-178.2B 罗姆半导体	类似代替	UDZTE-175.6B和UDZTE-178.2B的区别
UDZTE-177.5B 罗姆半导体	功能相似	UDZTE-175.6B和UDZTE-177.5B的区别
UDZTE-1715B 罗姆半导体	功能相似	UDZTE-175.6B和UDZTE-1715B的区别