UM6K1 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 K1 接口电路 开关电路
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 8Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.8~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Small switching 30V, 0.1A Features： 1 Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2 Mounting cost and area can be cut in half. 3 Low on-resistance. 4 Low voltage drive 2.5V makes this device ideal for portable equipment. 5 Easily designed drive circuits. Applications: Interfacing, switching 30V, 100mA Structure: Silicon N-channel MOSFET 描述与应用| 小开关（30V，0.1A） 特点： 1）两个2SK3018晶体管UMT在一个单一的封装中。 2）安装成本和面积可减少一半。 3）低导通电阻。 4）低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于 便携式设备。 5）轻松设计的驱动电路。 应用范围： 接口，开关（30V，100mA的） 结构： 硅N沟道 MOSFET