V30100C-E3/4W

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V30100C-E3/4W概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Trench MOS Schottky Technology**

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* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses**

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* High Efficiency Operation**

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* Solder Bath Temperature 275°C Max. 10 s, Per JESD 22-B106**

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* Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU**

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

Applications:

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* For Use in Solar Cell Junction Box as a Bypass Diode for Protection, Using DC Forward Current without Reverse Bias

V30100C-E3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 800mV @15A

正向电流 15 A

正向电压Max 800mV @15A

正向电流Max 30 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.32 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买V30100C-E3/4W
型号: V30100C-E3/4W
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
替代型号V30100C-E3/4W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

V30100C-E3/4W

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

V30100C-M3/4W

威世

完全替代

V30100C-E3/4W和V30100C-M3/4W的区别

V30100CHM3/4W

威世

完全替代

V30100C-E3/4W和V30100CHM3/4W的区别

NTST30U100CTG

安森美

功能相似

V30100C-E3/4W和NTST30U100CTG的区别

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