VS-8EWS08STR-M3参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-8EWS08STR-M3概述

1.4A 至 20A，Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK TO-252AA

得捷:
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK

艾睿:
Diode 800V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
NEW INPUT DIODES - D-PAK-E3

Newark:
# VISHAY VS-8EWS08STR-M3 RECTIFIER, SINGLE, 8A, 800V, TO-252AA New

儒卓力:
**RECT 800V 8A 0.82V TO252 **

VS-8EWS08STR-M3中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @8A

正向电流 8 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A

正向电压Max 1.1 V

正向电流Max 8 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买VS-8EWS08STR-M3

型号： VS-8EWS08STR-M3

描述：1.4A 至 20A，Vishay Semiconductor 采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

替代型号VS-8EWS08STR-M3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VS-8EWS08STR-M3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
8EWS08STRR 威世	完全替代	VS-8EWS08STR-M3和8EWS08STRR的区别
VS-8EWS08STRL-M3 威世	完全替代	VS-8EWS08STR-M3和VS-8EWS08STRL-M3的区别
VS-8EWS08STRR-M3 威世	完全替代	VS-8EWS08STR-M3和VS-8EWS08STRR-M3的区别