VBT3045BP-E3/4W

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

**Features:

**

* Trench MOS Schottky Technology**

**

* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses**

**

* High Efficiency Operation**

**

* Meets MSL level 1, Per J-STD-020, LF Maximum Peak of 245°°C**

**

* TJ 200°C Max. in Solar bypass Application**

Applications:

**

* For Use in Solar Cell Junction Box as a Bypass Diode for Protection, Using DC Forward Current without Reverse Bias

欧时:
### TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

得捷:
DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO263AB

艾睿:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

Allied Electronics:
Semiconductor, Rectifier; Trench MOS Barrier Schottky, Single; 45V; 30A; TO-263AB

安富利:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

富昌:
VBT3045 系列 30 A 45 V Trench MOS 势垒 肖特基整流器 - TO-263AB

Chip1Stop:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

Verical:
Diode Schottky 45V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube