VN2410L-G

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VN2410L-G概述

Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip

Supertex N 通道增强型模式 MOSFET

Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。

### MOSFET 晶体管,Microchip


立创商城:
N沟道 240V 190mA


得捷:
MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3


欧时:
Microchip Si N沟道 MOSFET VN2410L-G, 190 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-92封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 240 V, 10 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag


Allied Electronics:
Microchip VN2410L-G N-channel MOSFET Transistor; 0.19 A; 240 V; 3-Pin TO-92


安富利:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1W; TO92


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag


Win Source:
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3


VN2410L-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

针脚数 3

漏源极电阻 10 Ω

耗散功率 1 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 240 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 125 pF

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

VN2410L-G引脚图与封装图
VN2410L-G引脚图
VN2410L-G封装图
VN2410L-G封装焊盘图
在线购买VN2410L-G
型号: VN2410L-G
制造商: Microchip 微芯
描述:Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管 Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。 ### MOSFET 晶体管,Microchip
替代型号VN2410L-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VN2410L-G

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

VN2410L-G-P013

微芯

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