VEMT3700F-GS08

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VEMT3700F-GS08概述

VISHAY  VEMT3700F-GS08  光电晶体管, NPN, 940NM, PLCC-2

Phototransistors 940nm Top View 2-LCC J-Lead


得捷:
SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 2LCC


欧时:
### VEMT3700 系列光电晶体管Vishay Semiconductor 的 VEMT3700 系列是硅 NPN 光电晶体管。 它们采用标准表面安装 SMD PLCC-2 封装,且提供或不提供昼光滤光器。 这是黑色透镜阻隔环境可见光的位置。 不带昼光滤光器,光电晶体管对可见和近红外线辐射敏感。 VEMT3700 系列的适合应用包括:光遮断器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器。 VEMT3700 光电晶体管的特点: PLCC-2 封装 表面安装 SMD 尺寸:2.8 x 3.5 x 1.75 mm 带或不带日光滤光器 高光源敏感性 快速响应时间 半强度角:60° ### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
光电晶体管 70V 100mW 850nm


艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin PLCC T/R


安富利:
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin PLCC T/R


富昌:
PHOTO TRANS. SMD PLCC2


Chip1Stop:
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin PLCC T/R


Verical:
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin PLCC T/R


Newark:
# VISHAY  VEMT3700F-GS08  PHOTO TRANSISTOR, NPN, 940NM, PLCC-2


AMEYA360:
Vishay VEMT3700F-GS08, 120 ° 光电晶体管, 表面安装, PLCC 封装


VEMT3700F-GS08中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 6 ns

通道数 1

针脚数 2

波长 940 nm

视角 120°

峰值波长 940 nm

极性 NPN

耗散功率 100 mW

功耗 100 mW

上升时间 6000 ns

额定功率Max 100 mW

下降时间 6000 ns

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 PLCC-2

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2.8 mm

封装 PLCC-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 100℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VEMT3700F-GS08
型号: VEMT3700F-GS08
描述:VISHAY  VEMT3700F-GS08  光电晶体管, NPN, 940NM, PLCC-2

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