双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Super E-Line
The PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by Zetex, is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C.
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
最大电流放大倍数hFE 70 @50mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZTX749STZ Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZTX749 美台 | 类似代替 | ZTX749STZ和ZTX749的区别 |
ZTX458 美台 | 类似代替 | ZTX749STZ和ZTX458的区别 |
ZTX690B 美台 | 功能相似 | ZTX749STZ和ZTX690B的区别 |