ON SEMICONDUCTOR 1PMT5.0AT1G. 二极管, TVS, 200W, 5V, DO-216AA, 整卷
与整流器
欧时:
### 齐纳瞬态电压抑制器,采用 POWERMITE® 封装1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:200W @ 1 ms 1PMT5.0A − 1PMT36A 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 响应时间通常为 3 类 ESD 等级> 16kV/个人体模型 薄型 - 最大高度 1.1mm 整体式散热片/锁定插片 全金属底部,可消除通量截留 小体积 - 占用面积 8.45mm POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR 1PMT5.0AT1G. 二极管, TVS, 200W, 5V, DO-216AA, 整卷
艾睿:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
Allied Electronics:
1PMT5.0AT1G, Uni-Directional TVS Diode, 200W, 2-Pin Powermite
安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
富昌:
1PMT 系列 7 V 200 W 齐纳 瞬态电压抑制二极管 POWERMITE
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
Verical:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR 1PMT5.0AT1G TVS Diode, 1PMT Series, Unidirectional, 5 V, 9.2 V, DO-216AA, 2 Pins
罗切斯特:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R
Win Source:
TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE
额定电压DC 5.00 V
额定功率 200 W
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 6.70 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 3200 mW
钳位电压 9.2 V
测试电流 10 mA
最大反向击穿电压 7 V
脉冲峰值功率 1000 W
最小反向击穿电压 6.4 V
击穿电压 6.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-216AA
长度 2.18 mm
宽度 2.05 mm
高度 1.15 mm
封装 DO-216AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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1PMT5.0AT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
1PMT5.0AT3G 安森美 | 类似代替 | 1PMT5.0AT1G和1PMT5.0AT3G的区别 |
SM2T6V8A 意法半导体 | 功能相似 | 1PMT5.0AT1G和SM2T6V8A的区别 |
1PMT5.0AT1 安森美 | 功能相似 | 1PMT5.0AT1G和1PMT5.0AT1的区别 |