1EBN1001AEXUMA1概述
低边 高边 IGBT MOSFET
高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC - PG-DSO-14-43
欧时:
Infineon 1EBN1001AEXUMA1
得捷:
IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43
立创商城:
低边 高边 IGBT MOSFET
贸泽:
Gate Drivers DRIVER-IC
艾睿:
Single Channel Booster for Inverter Systems
安富利:
MOSFET DRVR 15A 1-OUT Hi Side Inv/Non-Inv 14-Pin DSO T/R
1EBN1001AEXUMA1中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 50ns, 90ns
输出接口数 1
输出电流 15.0 A
下降时间Max 90 ns
上升时间Max 50 ns
电源电压 13V ~ 18V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 PG-DSO-14
外形尺寸
封装 PG-DSO-14
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Hybrid Electrical Vehicles, Drives, Commercial and Agriculture Vehicles
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1EBN1001AEXUMA1引脚图与封装图 
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