12101K4R7CBTTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

12101K4R7CBTTR概述

高纯度的电极，用于非常低的和可重复 High purity of electrodes for very low and repeatable

4.7 pF 薄膜器 100 V 1210（3225 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 4.7PF 100V 1210

安富利:
Cap Ceramic 4.7pF 100V 0±60ppm/C 0.25pF SMD 1210 125°C T/R

Win Source:
4.7pF Thin Film Capacitor 100V 1210 3225 Metric 0.119" L x 0.098" W 3.02mm x 2.50mm

12101K4R7CBTTR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

电容 4.7 pF

容差 ±0.25 pF

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.02 mm

宽度 2.50 mm

高度 930 µm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 A-P/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

12101K4R7CBTTR引脚图与封装图

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型号： 12101K4R7CBTTR

描述：高纯度的电极，用于非常低的和可重复 High purity of electrodes for very low and repeatable